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玻璃薄膜介電常數(shù)試驗測試儀
簡要描述：玻璃薄膜介電常數(shù)試驗測試儀頻率因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
更新時間：2024-07-15
產(chǎn)品型號：GDAT-A
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問量：863
| 品牌 | 北廣精儀 | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
玻璃薄膜介電常數(shù)試驗測試儀試驗報告
試驗報告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容：
絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期（并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進行處理的情況）；
試樣條件處理的方法和處理時間；
電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型；
測量儀器；
試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度；
施加的電壓；
施加的頻率；
相對電容率εr（平均值）；
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ（平均值）；
試驗日期；
相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。
一、 概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、 測試原理
采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
三、儀器的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測量范圍：2～1023
2．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；
3．電感測量范圍：自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個電感組成。
4．電容直接測量范圍：1～460pF
5．主電容調(diào)節(jié)范圍： 30～500pF
6．電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF；150pF以上±1% 7．信號源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz （雙頻對向搜索 確保頻率不被外界干擾）另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz
8、型號頻率指示誤差：1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000
Q值自動鎖定，無需人工搜索
9．Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
1．Q值測量范圍：2～1023
表1 真空電容的計算和邊緣校正
（1） | 極間法向電容（單位：皮法和厘米）（2） | 邊緣電容的校正（單位：皮法和厘米）（3） |
1.有保護環(huán)的圓盤狀電極 | ||
2.沒有保護環(huán)的圓盤狀電極 | ||
a）電極直徑=試樣直徑 | ||
b）上下電極相等，但比試樣小 | ||
表1（續(xù)）
（1） | 極間法向電容（單位：皮法和厘米）（2） | 邊緣電容的校正（單位：皮法和厘米）（3） |
c）電極直徑=試樣直徑 | ||
3.有保護環(huán)的圓柱形電極 | ||
4.沒有保護環(huán)的圓柱形電極 | ||
試樣的相對電容率：
其中：
C'x——電極之間被測的電容；
In——自然對數(shù)；
Ig——常用對數(shù)。
表2 試樣電容的計算——接觸式測微計電極
試樣電容 | 注 | 符號定義’ |
1.并聯(lián)一個標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容 | CP——試樣的并聯(lián)電容△C——取去試樣后，為恢復(fù)平衡時的標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容增量Cr——在距離為r時，測微計電極的標(biāo)定電容Cs——取去試樣后，恢復(fù)平衡，測微計電極間距為s時的標(biāo)定電容Cor，Coh——測微計電極之間試樣所占據(jù)的，間距分別為r或h的空氣電容?？捎帽?中的公式1來計算r——試樣與所加電極的厚度h——試樣厚度相對電容率: | |
CP=△C+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
2.取去試樣后減少測微計電極間的距離來替代試樣電容 | ||
CP=Cs-Cr+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
3.并聯(lián)一個標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容當(dāng)試樣與電極的直徑同樣大小時，僅存在一個微小的誤差（因電極邊緣電場畸變引起0.2%?0.5%的誤差），因而可以避免空氣電容的兩次計算。 | ||
CP=△C+Coh | 試樣直徑等于測微計電極直徑，施于試樣上的電極的厚度為零。 | |
表3電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的計算——不接觸電極
相對電容率（1） | 介質(zhì)損耗因數(shù)（2） | 符號意義（3） |
1.測微計電極（在空氣中） | ||
tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | △C——試樣插人時電容的改變量（電容增加時為+號）C1——裝有試樣時的電容C1——僅有流體時的電容，其值為εr•CoCo——所考慮的區(qū)域上的真空電容，其值為εo•A/h0A——試樣一個面的面積，用 厘米2表示（試驗的面積大于等于電極面積時）ε1——在試驗溫度下的流體相對電容率（對空氣而言εr ＝1. 00)ε0——電氣常數(shù)用皮法/厘米表示△tanδ——試樣插入時，損耗因數(shù)的增加量tanδc——裝有試樣時的損耗因數(shù)tanδx試樣的損耗因數(shù)的計算值d0——內(nèi)電極的外直徑 d1——試樣的內(nèi)直徑 d2試樣的外直徑d3——外電極的內(nèi)直徑 h0——平行平板間距h——試樣的平均厚度M——h0 /h—1lg――常用對數(shù)注；在二流體法的公式中，腳注1和2分別表示種和第二種流體。 | |
2. 平板電極——流體排出法 | ||
tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | ||
當(dāng)試樣的損耗因數(shù)小于1時，可以用下列公式: | ||
3. 圓柱形電極——流體排出法（用于tanδ小于0.1時） | ||
4. 二流體法——平板電極（用于tanδx小于0. 1時） | ||
1——測微計頭； | 6——微調(diào)電容器； |
2——連接可調(diào)電極（B)的金屬波紋管； | 7——接檢測器； |
3——放試樣的空間（試樣電容器M1； | 8——接到電路上； |
4——固定電極（A）； | 9——可調(diào)電極（B）。 |
5——測微計頭； |
圖1 用于固體介質(zhì)測量的測微計——電容器裝置
單位為毫米
1——內(nèi)電極； | 1——把柄； |
2——外電極； | 5——棚硅酸鹽或石英墊圈； |
3——保護環(huán)； | 6——硼硅酸鹽或石英墊圈。 |
圖2 液體測量的三電極試驗池示例
注滿試驗池所需的液體量大約15mL
1——溫度計插孔；
2——絕緣子；
3——過剩液體溢流的兩個出口。
圖3 測量液體的兩電極試驗池示例
1——溫度計插孔；
2——1mm厚的金屬板；
3——石英玻璃；
4——1mm或2mm的間隙；
5——溫度計插孔
玻璃薄膜介電常數(shù)試驗測試儀
頻率
因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
| 如果你對GDAT-A玻璃薄膜介電常數(shù)試驗測試儀感興趣，想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息，填寫下表直接與廠家聯(lián)系： |
