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相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述:相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試儀 “Q"的定義Q表是根據(jù)串聯(lián)諧振原理設(shè)計(jì),以諧振電壓的比值來(lái)定位Q值。“Q"表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)",其物理含義是在一個(gè)振蕩周期內(nèi)貯存的能量與損耗的能量之比。對(duì)于電抗元件(電感或電容)來(lái)說(shuō),即在測(cè)試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。
更新時(shí)間:2024-07-14
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:819
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試儀儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量時(shí)更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。 相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試儀GB/T1409測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻 下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15Hz?300MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計(jì)算某些數(shù)值,如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測(cè)量。 有時(shí)在超過(guò)1000V的電壓下試驗(yàn),則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng),對(duì)此不予論述。
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件,其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 3、術(shù)語(yǔ)和定義 3.1 ε r ……………………………(1) εr——相對(duì)電容率; Co——真空中電容器的電極電容。 在一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率εr與真空電氣常數(shù)εr的乘積。 ……………………………(2) 3.2 δ 3.3 tanδ 3.4 ε''r 3.5 εr εr——復(fù)相對(duì)電容率; ε'r、εr——相對(duì)電容率; 注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示,或用電容CP和電阻RP(或電導(dǎo)CP)并聯(lián)電路表示。 Cs——串聯(lián)電容; 1)有些用“損耗角正切”來(lái)表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”,因?yàn)閾p耗的測(cè)量結(jié)果是用損耗角的正切來(lái)報(bào)告的。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關(guān)系: 式(9)、(10)、(11)中:Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式(7)、(8)。 假如測(cè)量電路依據(jù)串聯(lián)元件來(lái)產(chǎn)生結(jié)果,且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略,則在計(jì)算電容率前必須先計(jì)算并聯(lián)電容。 4、電氣絕緣材料的性能和用途 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面: 用作電容器介質(zhì)。 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。 因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。 4.2.2溫度 4.2.3濕度 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。 存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)值的大小和位置也隨此而變。 5、試樣和電極 5.1.1試樣的幾何形狀 在測(cè)定電容率需要較高精度時(shí),的誤差來(lái)自試樣尺寸的誤差,尤其是試樣厚度的誤差,因此厚度應(yīng)足夠大,以滿足測(cè)量所需要的度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。對(duì)1%的度來(lái)講,1.5mm的厚度就足夠了,但是對(duì)于更高度,好是采用較厚的試樣,例如6mm?12mm。測(cè)量厚度必須使測(cè)量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上,且厚度均勻度在±1%內(nèi)。如果材料的密度是已知的,則可用稱(chēng)量法測(cè)定厚度。選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。測(cè)量10pF的電容時(shí),使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1pF,因此試樣應(yīng)薄些,直徑為10cm或更大些。 5.1.2電極系統(tǒng) 電極可選用5.1.3中任意一種。如果不用保護(hù)環(huán),而且試樣上下的兩個(gè)電極難以對(duì)齊時(shí),其中一個(gè)電極應(yīng)比另一個(gè)電*大些。已經(jīng)加有電極的試樣應(yīng)放置在兩個(gè)金屬電極之間,這兩個(gè)金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對(duì)于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式以及邊緣電容近似計(jì)算的經(jīng)驗(yàn)公式由表1給出。 5.1.2.2試樣上不加電極 平板電極或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式由表3給出。 5.1.2.2.1空氣填充測(cè)微計(jì)電極 5.1.2.2.2流體排出法 試樣為與試驗(yàn)池電極直徑相同的圓片,或?qū)y(cè)微計(jì)電極來(lái)說(shuō),試樣可以比電極小到足以使邊緣效應(yīng)忽略不計(jì)。在測(cè)微計(jì)電極中,為了忽略邊緣效應(yīng),試樣直徑約比測(cè)微計(jì)電極直徑小兩倍的試樣厚度。 為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測(cè)量誤差,電極系統(tǒng)可加上保護(hù)電極。保護(hù)電極的寬度應(yīng)至少為兩倍的試樣厚度,保護(hù)電極和主電極之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。假如不能用保護(hù)環(huán),通常需對(duì)邊緣電容進(jìn)行修正,表1給出了近似計(jì)算公式。這些公式是經(jīng)驗(yàn)公式,只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀。 5.1.3構(gòu)成電極的材料 用極少量的硅脂或其他合適的低損耗粘合劑將金屬箔貼在試樣上。金屬箔可以是純錫或鉛,也可以是這些金屬的合金,其厚度為100μm,也可使用厚度小于10μm的鋁箔。但是,鋁箔在較高溫度下易形成一層電絕緣的氧化膜,這層氧化膜會(huì)影響測(cè)量結(jié)果,此時(shí)可使用金箔。 燒熔金屬電極適用于玻璃、云母和陶瓷等材料,銀是普遍使用的,但是在高溫或高濕下,好采用金。 鋅或銅電極可以噴鍍?cè)谠嚇由?,它們能直接在粗糙的表面上成膜。這種電極還能?chē)娫诓忌?,因?yàn)樗鼈儾淮┩阜浅P〉目籽邸?/p> 假如處理結(jié)果既不改變也不破壞絕緣材料的性能,而且材料承受高真空時(shí)也不過(guò)度逸出氣體,則本方法是可以采用的。這一類(lèi)電極的邊緣應(yīng)界限分明。 把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間,凹模中充有液體金屬,該液體金屬必須是純凈的。汞電極不能用于高溫,即使在室溫下用時(shí),也應(yīng)采取措施,這是因?yàn)樗恼魵馐怯卸镜摹?/p> 5.1.3.6導(dǎo)電漆 要使用刷漆法做到邊緣界限分明的電極較困難,但使用壓板或壓敏材料遮框噴漆可克服此局限。但在的頻率下,因銀漆電極的電導(dǎo)率會(huì)非常低,此時(shí)則不能使用。 一般不推薦使用石墨,但是有時(shí)候也可采用,特別是在較低的頻率下。石墨的電阻會(huì)引起損耗的顯著增大,若采用石墨懸浮液制成電極,則石墨還會(huì)穿透試樣。 5.1.4.1板狀試樣 a)不加電極,測(cè)量時(shí)快而方便,并可避免由于試樣和電極間的不良接觸而引起的誤差。 ……………………………(12) △εr——相對(duì)電容率的偏差; h——試樣厚度; 若試樣上加電極,且試樣放在有固定距離S>h的兩個(gè)電極之間,這時(shí) 式中: εr——試樣浸入所用流體的相對(duì)電容率,對(duì)于在空氣中的測(cè)量則εr等于1。 5.1.4.2管狀試樣 高電容率的管狀試樣,其內(nèi)電極和外電極可以伸展到管狀試樣的全部長(zhǎng)度上,可以不用保護(hù)電極。 對(duì)于非常準(zhǔn)確的測(cè)量,在厚度的測(cè)量能達(dá)到足夠的精度時(shí),可采用試樣上不加電極的系統(tǒng)。對(duì)于相對(duì)電容率εr不超過(guò)10的管狀試樣,方便的電極是用金屬箔、汞或沉積金屬膜。相對(duì)電容率在10以上的管狀試樣,應(yīng)采用沉積金屬膜電極;瓷管上可采用燒熔金屬電極。電極可像帶材一樣包覆在管狀試樣的全部圓周或部分圓周上。 5.2.1試驗(yàn)池的設(shè)計(jì) 滿足上述要求的試驗(yàn)池見(jiàn)圖2?圖4。電極是不銹鋼的,用硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣,圖2和圖3所示的試驗(yàn)池也可用作電阻率的測(cè)定,1EC 60247:1978對(duì)此已詳細(xì)敘述。 5.2.2試驗(yàn)池的準(zhǔn)備 試驗(yàn)池應(yīng)全部拆開(kāi),*地清洗各部件,用瑢劑回流的方法或放在未使用溶劑中攪動(dòng)反復(fù)洗滌方法均可去除各部件上的溶劑并放在清潔的烘箱中,在110℃左右的溫度下烘干30min。 在上述各步驟中,各部件可用干凈的鉤針或鉗子巧妙地處理,以使試驗(yàn)池有效的內(nèi)表面不與手接觸。 注2:采用溶劑時(shí),有些溶劑特別是苯、四氧化碳、甲苯、二甲苯是有毒的,所以要注意防火及毒性對(duì)人體的影響,此外,氧化物溶劑受光作用會(huì)分解。 當(dāng)需要高精度測(cè)定液體電介質(zhì)的相對(duì)電容率時(shí),應(yīng)首先用一種已知相對(duì)電容率的校正液體(如苯)來(lái)測(cè)定“電極常數(shù)'。 ……………………………(14) Cc——電極常數(shù); Cn——充有校正液體時(shí)電極裝置的電容; 從C。和Cc的差值可求得校正電容Cg 并按照公式 式中: Co——空氣中電極裝置的電容; Cx——電極裝置充有被試液體時(shí)的電容; 假如Co、Cn和Cx值是在εn是已知的某一相同溫度下測(cè)定的,則可求得高精度的εx值。 6、測(cè)置方法的選擇 6.1零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過(guò)50MHz時(shí)的測(cè)量。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就是在接入試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下,調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通常回路采用西林電橋、變壓器電橋(也就是互感耦合比例臂電橋)和并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過(guò)多操作,就可采用保護(hù)電極;它沒(méi)有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。 注:典型的電橋和電路示例見(jiàn)附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的,敘述電橋和測(cè)量方法報(bào)導(dǎo)見(jiàn)有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說(shuō)明書(shū)。
7.1試樣的制備 應(yīng)地測(cè)量厚度,使偏差在±(0.2%土0.005mm)以內(nèi),測(cè)量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí),應(yīng)測(cè)其有效面積。 條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。 電氣測(cè)量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。 8、結(jié)果 試樣加有保護(hù)電極時(shí)其相對(duì)電容率εr可按公式(1)計(jì)算,沒(méi)有保護(hù)電極時(shí)試樣的被測(cè)電容C'x包括了一個(gè)微小的邊緣電容Ce,其相對(duì)電容率為: 式中: C'x——沒(méi)有保護(hù)電極時(shí)試樣的電容; Co——法向極間電容; 必要時(shí)應(yīng)對(duì)試樣的對(duì)地電容、開(kāi)關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正。 8.2介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ 8.3精度要求 在較低頻率下,電容的測(cè)量精度能達(dá)±(0.1%土0.02pF),介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度能達(dá)±(2%±0.00005)。在較高頻率下,其誤差增大,電容的測(cè)量精度為±(0.5%±0,1PF),介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度為±(2%±0.0002)。 對(duì)表面加有電極的試樣的電容,若采用測(cè)微計(jì)電極測(cè)量時(shí),只要試樣直徑比測(cè)微計(jì)電極足夠小,則只需要進(jìn)行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來(lái)測(cè)量?jī)呻姌O試樣時(shí),邊緣電容和對(duì)地電容的計(jì)算將帶來(lái)一些誤差,因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%?40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料,計(jì)算邊緣電容的誤差為10%,計(jì)算對(duì)地電容的誤差為因此帶來(lái)總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時(shí),對(duì)地電容誤差可大大減小。 9、試驗(yàn)報(bào)告 絕緣材料的型號(hào)名稱(chēng)及種類(lèi)、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況); 電極裝置類(lèi)型,若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類(lèi)型; 試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度; 施加的頻率; 介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ(平均值); 相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角,必要時(shí),應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。 |
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